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[1]倪演海,戴特力,梁一平,等.垂直外腔面发射激光器的模拟分析 [J].重庆师范大学学报(自然科学版),2011,28(01):55-59.
　NI Yan-hai,DAI Te-li,LIANG Yi-ping,et al.Simulation and Analysis of Vertical-external-cavity Surface-emitting Laser [J].期刊社,2011,28(01):55-59.
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垂直外腔面发射激光器的模拟分析
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重庆师范大学学报（自然科学版）[ISSN:1672-6693/CN:50-1165/N]

卷:
28
期数:
2011年01期
页码:
55-59
栏目:
理论与应用研究
出版日期:
2011-01-25

文章信息/Info

Title:
Simulation and Analysis of Vertical-external-cavity Surface-emitting Laser
作者:
倪演海; 戴特力; 梁一平; 杜亮; 伍喻
Author(s):
NI Yan-hai; DAI Te-li;  LIANG Yi-ping; DU Liang;  WU Yu
关键词:
C42+分子; 电声耦合; Td对称性; 哈密顿量; 杨G泰勒畸变; 能级分裂
Keywords:
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分类号:
-
DOI:
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文献标志码:
A
摘要:
垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级，制作成本高，有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真，实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真，获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性。结果表明，InGaAs/GaAsP/A1GaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光，产生足够多的光生载流子（电子—空穴对），这些载流子能轻易地渡越应变补偿层，被量子阱俘获，产生复合发光。其发光带隙1.25 eV，相应波长992 nm，接近设计波长980 nm。InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处，增益系数高达4 000 cm -1 . InGaAs/GaAsP/A1GaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm，与980 nm的分布布拉格反射镜（DBR）的反射中心波长非常接近，其峰值功率高达23 dB，理论上能够获得较大的输出功率。
Abstract:
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参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
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更新日期/Last Update: 2011-01-27